衡量絕緣子污穢程度有等值鹽密、污層電導率、表面電導率、洩漏電流、污閃電壓與污閃梯度等方法。本文選擇了(le)測量絕緣子等值鹽密來(lái)衡量絕緣子污穢程度，其原因如下(xià)。
a． 污層電導率定義爲絕緣單位表面污層的(de)電導值，實際上是由加在污層上的(de)電流與電壓之比求出的(de)電導與絕緣子的(de)形狀系數相乘求得(de)。爲測量污層表面電導，應在污層 飽和(hé)受潮條件下(xià)，在絕緣子上加适當高(gāo)的(de)工頻(pín)電壓，測其洩漏電流，從而求得(de)電導G=I／U，但上述測量分(fēn)散性較大(dà)，受污穢分(fēn)布不均勻的(de)影(yǐng)響也(yě)較大(dà)。另外，測 量時(shí)要用(yòng)容量較大(dà)的(de)電源，測量比較麻煩。
b．從物(wù)理(lǐ)意義上講，污層的(de)局部表面電導率和(hé)表面電導率是同一參數，其物(wù)理(lǐ)意義相同，差别僅在于測量方法。測量方法雖然與等值鹽密相同，但電導率受溫度變化(huà)影(yǐng)響較大(dà)。
c．洩漏電流試驗作爲表示污穢度的(de)參數較多(duō)：運行電壓下(xià)洩漏電流的(de)最大(dà)脈沖幅值；超過一定幅值的(de)洩漏電流脈沖數；臨閃前最大(dà)洩漏電流值。測量這(zhè)些參數需要對(duì)絕緣子施加一定電壓，現場(chǎng)試驗不方便。
d． 污閃電壓及污閃梯度是表征絕緣子性能的(de)最直接最理(lǐ)想的(de)污穢參數，現場(chǎng)污穢試驗還(hái)能真實地測得(de)絕緣子污閃性能，但由于自然污穢和(hé)積污水(shuǐ)平達到臨界狀态與引起 污閃的(de)氣象條件的(de)産生不一定同時(shí)存在，往往是污穢已經達到臨界水(shuǐ)平但沒有出現充分(fēn)的(de)潮濕條件而測量不到臨界污閃電壓，因而進行閃絡電壓的(de)測量還(hái)應結合其他(tā) 污穢度參數的(de)測量。試驗設備容量大(dà)，試驗不方便，現場(chǎng)不具備
條件。
e． 絕緣子等值鹽密(外絕緣的(de)單位表面積上的(de)等值鹽量)測量方法是用(yòng)一定量的(de)蒸餾水(shuǐ)，将一定面積瓷表面上的(de)污穢物(wù)全部清洗掉，用(yòng)等值鹽密度測試儀測量污穢溶液的(de)鹽密值ESDD。等值鹽密可(kě)直觀衡量污穢程度，不受溫度、電壓、試驗設備容量和(hé)試驗場(chǎng)地的(de)限制。
就現有技術、設備和(hé)操作的(de)可(kě)行性等來(lái)看，現場(chǎng)一般采取測量絕緣子等值鹽密衡量絕緣子污穢程度。等值鹽密是對(duì)絕緣子污閃的(de)客觀反映，是判斷絕緣性能的(de)判據之一，可(kě)直觀衡量污穢程度，不受溫度、電壓、試驗設備容量和(hé)試驗場(chǎng)地的(de)限制，而且便于現場(chǎng)操作。
